關(guān)的研發(fā)，并且主要限于計(jì)算機(jī)仿真研究，這就導(dǎo)致了我國(guó)在IGBT設(shè)計(jì)和研發(fā)方面的人才奇缺。

破繭成長(zhǎng)

因?yàn)閲?guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)和積累都比較少，短期內(nèi)趕上國(guó)際水平不太現(xiàn)實(shí)，所以，提升進(jìn)口替代產(chǎn)品的能力就成了國(guó)內(nèi)企業(yè)首選方向，以?xún)r(jià)格優(yōu)勢(shì)和本土優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng)份額，據(jù)了解，IGBT國(guó)產(chǎn)化器件相比國(guó)外企業(yè)成本節(jié)約15~20%，即使售價(jià)減少40%，國(guó)內(nèi)企業(yè)依然擁有30%以上的毛利率。另外，國(guó)外企業(yè)產(chǎn)品定位大部分是工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域大功率IGBT，而我國(guó)是世界上最主要的家電生產(chǎn)和消費(fèi)國(guó)，加上小功率IGBT生產(chǎn)門(mén)檻較大功率低，所以，國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入IGBT行業(yè)家電領(lǐng)域是最適合的切入點(diǎn)。“在過(guò)去2-3年中，國(guó)產(chǎn)IGBT特別是1200V 平面非穿通型和1200V 溝槽非穿通型，在消費(fèi)電子市場(chǎng)有了突破。預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年，將在600V以及1,700V甚至更高電壓的技術(shù)上有所突破。中大功率應(yīng)用將會(huì)在未來(lái)3-5年內(nèi)看到國(guó)產(chǎn)IGBT器件。”從華潤(rùn)上華分立器件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中心總經(jīng)理吳宗憲回答可以看出，他對(duì)國(guó)產(chǎn)IGBT的發(fā)展前景充滿(mǎn)信心。

而智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車(chē)以及家電節(jié)能等本土市場(chǎng)，更為企業(yè)的技術(shù)突破，實(shí)現(xiàn)IGBT的替代創(chuàng)造了堅(jiān)實(shí)的市場(chǎng)基礎(chǔ)。尤其是節(jié)能與新能源是國(guó)家發(fā)展新興科技產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)，而IGBT則是節(jié)能與新能源領(lǐng)域核心器件，所以IGBT產(chǎn)業(yè)化不僅僅是市場(chǎng)需求，同時(shí)也是國(guó)家發(fā)展的戰(zhàn)略需求。發(fā)改委于2010年3月19日下發(fā)紅頭文件：《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》，其專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊產(chǎn)業(yè)化。這說(shuō)明國(guó)家對(duì)目前功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的現(xiàn)狀已有比較深刻的認(rèn)識(shí)和危機(jī)意識(shí)。